PECVD

网络等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapour deposition)；等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)；化学气相沉积设备

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1.	等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapour deposition) 以等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成薄膜光伏电池中最核心的非晶硅吸收层。洁净明亮的无尘室是薄膜光伏电池生产基地 … www2.dupont.com\|基于1167个网页
2.	等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中，利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO林若 … wulixb.iphy.ac.cn\|基于979个网页
3.	化学气相沉积设备台化学气相沉积设备（PECVD），同时另购置4台（进口）尾气处理设备。 guba.eastmoney.com\|基于416个网页

4.	化学气相沈积电浆辅助化学气相沈积（PECVD）系统使用电浆的辅助能量，使得沈积反应的温度得以降低。在PECVD中由於电浆的作用而 … blog.xuite.net\|基于212个网页
5.	等离子体化学气相沉积用等离子体化学气相沉积（PECVD）法，通过改变[SiH4∶N2] [NH3] 的流量比沉积SiN 薄膜．用椭圆偏.. 全部>> wang5945 热 … www.docin.com\|基于137个网页
6.	化学气相沉积系统增强型化学气相沉积系统(PECVD)，涉及领域包括，光伏器件物理、射频技术、真空技术、等离子体技术、电子技术、激光技 … www.txsec.com\|基于107个网页

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全部全部,化学气相沉积设备化学气相沉积设备

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1.

In this dissertation , we changed the PECVD technique parameters, and deposited amorphous, microcrystalline and polymorphous silicon films .

本论文通过改变 PECVD 工艺条件，制备了非晶、微晶和多形硅三种氢化硅薄膜。

2.

This paper gives an overview of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) used in the solar industry .

本文针对电浆辅助化学气相沉积在太阳能产业上的应用作一概略性的介绍。

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3.

First of all, plasma physics , PECVD equipment and its process principles are explained .

首先，对电浆物理、PECVD 设备及制程原理加以阐述。

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4.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique is the primary method which is used to prepare hydrogenated silicon film .

等离子体化学气相沉积技术制备氢化硅薄膜工艺条件成熟稳定而成为薄膜制备的首选方法。

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6.

Study of Microscopical Structure for the Dielectric Film in Nanometre Range Formed by Low Temperature PECVD

低温 PECVD 法形成纳米级介质膜微观结构研究

service.ilib.cn

7.

Influence of Atomic Hydrogen on Transparent Conducting Oxide During Hydrogenated Microcrystalline Si Preparation by PECVD

PECVD 沉积微晶硅薄膜过程中氢原子对透明导电膜的影响

8.

Preparation of Crystalline-Silicon Film by PECVD at Low-Temperature and Its Growth Kinetics

PECVD 低温制备晶化硅薄膜及其机制浅析

9.

Crystalline Control of Microcrystalline Silicon Thin Film Deposited by Low Temperature PECVD

PECVD 法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制

10.

Characterization of Fluorine and Carbon-Doped Silicon Oxide Film Deposited by PECVD

PECVD 法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

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