这其中，NXT:1470光刻机的照明波长为193nm，分辨率为≤57nm，套刻精度≤4.5nm。而前不久，中国工信部推广的国产氟化氩光刻机，照明波长为193nm，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

七月初，东方嘉盛成功中标，将与全球领先的芯片光刻机制造商携手合作。双方计划在深圳共同建设一个寄售维修保税仓库，旨在为华南地区的集成电路制造企业提供全天候、快速响应的光刻机寄售和维修服务。

近视眼激光手术，是利用193nm波长的紫外激光对患者的角膜组织进行切削，而且近视度数越高，需要切削掉的角膜也就越多。对于角膜本身就比较薄的患者，从安全角度来讲就根本无法选择该手术。

国际上，荷兰的ASML（阿斯麦）是全球光刻机行业的龙头，尤其是其生产的EUV（极紫外光刻机）几乎垄断了顶级芯片制造领域。 但在美国的高压打击下，ASML也不得不屈服，对中国的光刻机出口实施了严格的限制。

与pre-pattern（预成形）——自动引导嵌段共聚物（block copolymers）方向的技术联用，DSA能够缩减最终结构的间距（pitch）。采用193nm光刻，DSA就可以将图形结构的间距缩减到12.5nm。 这段话不仅看不懂，而且也仍然无法让我们搞清楚，DSA是如何让high-NA达成降本的。

昨天在朋友圈刷到这张图，一看好有意思。就针对这张图，我们边学半导体设备专用单词边科普工艺。感谢咔嚓，晶媛，维族女婿，老杨，关老师（半导体综研），天天改简历的河哥，又帅又飒的八妹，以及“爱芯片，爱生活，赚大钱”神仙大佬群友的给与的行业专业知识支持。这张 ...

5、2023年半年报：公司布局规划的清洗液、刻蚀液、电镀液及添加剂、光刻胶、研磨液等化学品材料产能不断加强完善，其中上海厂区年产能1.9万吨扩充目标已建设完成，合肥第二生产基地一期1.7万吨预计四季度投产，二期规划5.3万吨年产能相关手续正在办理中。

国产替代率较低 半导体光刻胶根据波长可分为G线光刻胶（436nm）、I线光刻胶（365nm）、KrF光刻胶（248nm）、ArF光刻胶（193nm）、EUV光刻胶（13.5nm ...

据观察者网报导，11月5日，第七届进博会开幕当天，荷兰光刻机巨头ASML在回答观察者网提问时表示，「自1988年ASML首台光刻机进入中国，我们已进入中国市场30余年。在合规合法的前提下，我们继续在中国开展业务。由于先进制程技术受到了更多限制，因此我 ...

光源方面，非浸润式DUV和浸润式DUV是一样的，都是采用193nm的波长，我们早就掌握了。 而工作台方面，其实也是可以和非浸润式DUV光刻机采用一样的 ...