二、湖南三安的创新之路 湖南三安半导体此次申请的专利，包含了一种创新的GaN-HEMT器件结构及其制备方法。根据专利摘要显示，该器件的设计涉及 ...

图3：增强型GaN-HEMT的结构（图源：ROHM Semiconductor） 与其他一些GaN领域的玩家相比，ROHM的GaN HEMT产品似乎出道时间不长，但实际上其背后的技术积淀 ...

根据专利摘要，该凹槽型GaN MIS-HEMT（绝缘栅氮化镓金属绝缘体场效应晶体管）纵向器件设计涉及多个结构要素，包括漏极金属、n型SiC衬底、n型GaN和p ...

但是，松下 HD 研发的 GaN 为 JFET 结构，不需要形成氧化膜。 如今，用于 PC 方向超小型 AC 适配器等设备的横向型 HEMT 结构的 GaN 功率器件也由同样的 ...