美光科技宣布其第九代（G9）TLC NANDSSD开始量产，这是该行业的一个重要里程碑。 G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度，为数据读取和写入提供了出色的带宽。这种先进的 ...

TechInsights称，虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

在科技创新不断推进的今天，存储技术依然是一项不可或缺的核心领域。近日，三星电子正式宣布其首款1太比特（1Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存开始量产，这一里程碑式的事件不仅标志着三星在存储技术领域的又一次重大突破，也为整个行业的发展注入了新 ...

但因为PC、智能手机厂商库存仍然偏高，NAND闪存的出货量增长放缓，二季度环比减少了1％，总营收达167.96亿美元，环比增长14.2％。 第二季度起，所有的NAND闪存供应商都已经恢复盈利，并计划在第三季度扩大产能，满足AI、服务器的需求，但是PC ...

三星电子的QLC 9th-Gen V-NAND采用了多项创新技术，包括行业领先的通道孔蚀刻技术，该技术通过双堆栈结构实现了业界最高的层数。此外，通过优化存储单元面积和外围电路，与上一代QLC ...

【ITBEAR】9月9日消息，随着服务器终端库存调整的结束以及AI技术推动大容量存储产品需求的增加，今年第二季度NAND Flash（闪存）市场呈现价格持续上涨的态势。根据TrendForce集邦咨询最新发布的报告，尽管PC和智能手机厂商库存依然偏高 ...

9月9日消息，市场研究机构TrendForce最新发布的报告显示，随着服务器终端库存调整接近尾声，加上AI刺激大容量存储产品需求，今年第二季NAND Flash价格持续上涨，但因PC和智能手机买方库存偏高，导致NAND Flash位元出货量环比下滑1 ...

根据TrendForce最新调查，由于server终端库存调整接近尾声，加上AI刺激大容量存储产品需求，2024年第二季NAND Flash价格持续上涨，但因为PC和智慧型手机买方库存偏高，导致第二季NAND Flash位元出货量季减1%，平均销 ...

Micron美光第二季度出货量同样小幅季减，不过平均销售单价上涨20%，使得NAND Flash营收达到19.81亿美元，季增15.2%。Micron认为，Enterprise ...

三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案 深圳2024年9月12日 /美通社/ -- ...

9月9日，据TrendForce集邦咨询最新调查数据显示，尽管PC和智能手机厂商的库存仍然偏高，导致NAND Flash位元出货量季度小幅下降1%，但平均销售单 ...