三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND开始，逐渐积累了丰富的经验，目前最新量产的是第9代V-NAND，层数达到了290层。

近日，来自韩国媒体的消息揭示了三星电子平泽第四园区（P4）的新动向：全新第一条生产线将实现NAND和DRAM的同步量产。这一创新举措标志着半导体制造业的一次重要变革，对于整个市场和消费者而言，都将产生深远的影响。三星电子计划到年底前每月新增5000片的NAND生产规模，再加上DRAM的持续扩张，展现出其在全球存储器市场中的强大竞争力。 平泽P4的这一生产线不仅在名称上有所更改，反映出其双核生产的能 ...

11月6日消息，据路透社报道，存储芯片大厂铠侠表示，在人工智能需求的推动下，预计到2028 年，对 NAND Flash的需求将增加 2.7 倍。铠侠将在未来几年扩大其制造能力并引入新的工艺技术，以满足即将到来的需求。

在科技产品的快速更新迭代中，NAND Flash存储芯片一直扮演着至关重要的角色。然而，根据TrendForce集邦咨询的最新调查，2024年四季度NAND Flash产品合约价格的下调趋势引发了广泛关注。预期合约价格将环比下调3%至8%，这对于整个半导体行业及其下游产品将会产生怎样的影响？本文将深入分析这一市场现象，探讨其背后的原因及未来趋势。 一、市场背景：NAND Flash的重要性与现状 ...

在今年年初，三星发布了中阶产品990 EVO。在半年后，他们就带来了这款硬盘的升级版990 EVO PLUS。说起来，上一次三星用PLUS这个后缀还得追溯到2019年的970 EVO PLUS。而和970 EVO与970 EVO ...

在全球半导体行业中，三星电子（Samsung Electronics）一直处于技术革新的前沿。最近，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，预计到2026年，公司的NAND闪存技术将达到400层，并在2030年突破1000层。这一技术进步不仅标志着存储解决方案的未来发展方向，也为存储密度、性能和能效设定了新的标准，显示出三星在闪存市场的强大存在感和竞争力。

铠侠日本当地时间11月7日宣布，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳。这是由日本新能源•产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。

从市场动态和需求变化来看，作为两大存储器产品之一的NAND Flash正在经历新一轮的变革。自 23 年第三季度以来，NAND Flash 芯片价格已连续数月上涨。

这一变动意味着，该生产线将从原先专注的NAND闪存生产，转向同时支持NAND与DRAM的混合生产模式。 三星平泽园区 此次调整在生产线的命名上也有所体现。原名为P4F的生产线，其中的"F"代表Flash闪存，而如今更名为P4H，其中的"H"则是Hybrid的简称，标志着该生产 ...

【ITBEAR】三星全新旗舰固态硬盘990 EVO Plus 4TB版本终于上市，以1899元的首发价正式开售，引起了广泛关注。 该款固态硬盘以其出色的性能表现成为市场上的新宠。整体尺寸为80.15x22.15x2.38mm，采用M.2 2280规格 ...