向SiC注入离子时的加速电压一般使用数百kV左右，对应的离子注入区域的深度为数百nm，比较浅。在SiC中，即使经过高温工序，注入后的掺杂元素浓度在深度方向的分布也几乎保持不变。考虑到这些因素，通过设计离子注入工艺以获得所需特性的器件结构。另外，在进行 ...

• 超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。

2024年，碳化硅（SiC）衬底价格将出现前所未有的下跌，标志着功率半导体材料领域的重大转变。在经历了一段时间的持续高需求和供应紧张之后，市场现在正面临供应过剩的问题。据了解，主流6英寸SiC晶圆衬底的市场价格已在2023年第四季度暴跌至400~45 ...

在上周刚刚举办的Electronica 2024 CEO圆桌论坛上，英飞凌、恩智浦以及意法半导体三家芯片巨头CEO齐亮相，三家CEO集体表达了对中美关系的担忧，同时三位也有一个共识， 即中国在全球半导体供应链中扮演着越来越重要的角色，尤其是在电动汽车和工业领域。

美国能源部（DOE）近日批准了向SK集团旗下的半导体晶圆制造商SK Siltron提供的5.44亿美元贷款（包括4.815亿美元的本金和6250万美元的利息），以支持其在先进技术汽车制造（ATVM）项目中扩大用于电动汽车（EV）的高质量碳化硅（SiC ...

上面这张图收集了国外主要供应商扩张SiC产能的信息，比如Wolfspeed 2023年年产107万片SiC晶圆，该公司计划投入65亿美元扩充产能；Rohm 2023年年产40万片SiC晶圆，该公司计划在2021至2027年投入5100亿日元(约合37亿美元)扩充产能；onsemi 2023年年产28.8万片SiC晶圆，该公司 ...

11月8日，北京电控发布公告，宣布将在亦庄建设一座12寸晶圆厂，项目总投资330亿元，规划产能为每月5万片。预计2025年第四季度完成厂房建设并启动设备搬入，2026年底实现量产。2024年至2026年的规划投资分别为60亿元、96亿元和88亿元。

10 月 16 日消息，美国商务部当地时间昨日宣布同碳化硅晶圆巨头、8 英寸 SiC 晶圆领军企业 Wolfspeed 签署一份不具约束力的初步条款备忘录，拟根据 ...

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其具备宽带隙、高击穿电场、高电子迁移率以及优良的热导率等特性，展现出广泛的应用潜力。 从碳化硅原材料到功率半导体器件的制造涉及多个关键步骤，包括单晶生长、晶锭切割、外延生长以及晶圆设计、制造和封装 ...

11月12日，美国能源部（DOE）宣布了一项4.815亿美元（约34.8亿人民币）的贷款给SK Siltron CCS公司，以扩大其在美国的车规SiC晶圆的制造。 据“行家说三代半”此前报道，SK Siltron在美国密歇根州拥有2个SiC衬底工厂： 2019年SK Siltron以4.5亿美元（约29亿人民币 ...

燕东微目前拥有一条6英寸晶圆生产线（产能6.5万片/月）、一条6英寸SiC晶圆生产线（产能2000片/月）、一条8英寸晶圆生产线（工艺节点110nm，产能5万片/月）、一条12英寸晶圆生产线（建设过程中，工艺节点65nm，产能4万片/月），主要面向A ...

“北电集成12英寸集成电路生产线项目”投资总额为330亿元，规划产品主要为显示驱动芯片、数模混合芯片、嵌入式MCU芯片以及基于PD/FD-SOI工艺技术的高速混合电路芯片及特种应用芯片，规划产能5万片/月。该项目计划2024年开始建设，2025年四季 ...