向SiC注入离子时的加速电压一般使用数百kV左右，对应的离子注入区域的深度为数百nm，比较浅。在SiC中，即使经过高温工序，注入后的掺杂元素浓度在深度方向的分布也几乎保持不变。考虑到这些因素，通过设计离子注入工艺以获得所需特性的器件结构。另外，在进行 ...

• 超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。

2024年，碳化硅（SiC）衬底价格将出现前所未有的下跌，标志着功率半导体材料领域的重大转变。在经历了一段时间的持续高需求和供应紧张之后，市场现在正面临供应过剩的问题。据了解，主流6英寸SiC晶圆衬底的市场价格已在2023年第四季度暴跌至400~45 ...

京东方、燕东微拟合计以70亿元增资北京一家12英寸晶圆项目公司，这将令供应紧张的高端晶圆市场出现新变数。 据京东方A、燕东微近日公告，京东方下属全资子公司天津京东方创新投资有限公司和燕东微全资子公司北京燕东微电子科技有限公司，与北京亦庄 ...

上面这张图收集了国外主要供应商扩张SiC产能的信息，比如Wolfspeed 2023年年产107万片SiC晶圆，该公司计划投入65亿美元扩充产能；Rohm 2023年年产40万片SiC晶圆，该公司计划在2021至2027年投入5100亿日元(约合37亿美元)扩充产能；onsemi 2023年年产28.8万片SiC晶圆，该公司 ...

美国能源部（DOE）近日批准了向SK集团旗下的半导体晶圆制造商SK Siltron提供的5.44亿美元贷款（包括4.815亿美元的本金和6250万美元的利息），以支持其在先进技术汽车制造（ATVM）项目中扩大用于电动汽车（EV）的高质量碳化硅（SiC ...

11月8日，北京电控发布公告，宣布将在亦庄建设一座12寸晶圆厂，项目总投资330亿元，规划产能为每月5万片。预计2025年第四季度完成厂房建设并启动设备搬入，2026年底实现量产。2024年至2026年的规划投资分别为60亿元、96亿元和88亿元。

SK Siltron CSS计划利用美国能源部及密歇根州政府的资金支持，到2027年完成贝城工厂的扩建工程，依托奥本研发中心的技术成果，大力生产高性能SiC晶圆。SiC晶圆与传统硅晶圆相比具有显著优势，工作电压可提高10倍，工作温度可提高3倍，是电动汽车、充电设备和 ...

IT之家 10 月 16 日消息，美国商务部当地时间昨日宣布同碳化硅晶圆巨头、8 英寸 SiC 晶圆领军企业 Wolfspeed 签署一份不具约束力的初步条款备忘录 ...

11月12日，美国能源部（DOE）宣布了一项4.815亿美元（约34.8亿人民币）的贷款给SK Siltron CCS公司，以扩大其在美国的车规SiC晶圆的制造。 据“行家说三代半”此前报道，SK Siltron在美国密歇根州拥有2个SiC衬底工厂： 2019年SK Siltron以4.5亿美元（约29亿人民币 ...

SK集团旗下半导体晶圆制造商SK Siltron于11月14日宣布，已获美国能源部5.44亿美元规模的贷款融资。SK Siltron CSS将以美国能源部及密歇根州政府的资金支持为基础，到2027年完成该州贝城工厂的扩建工程。扩建完成后，SK ...

“北电集成12英寸集成电路生产线项目”投资总额为330亿元，规划产品主要为显示驱动芯片、数模混合芯片、嵌入式MCU芯片以及基于PD/FD-SOI工艺技术的高速混合电路芯片及特种应用芯片，规划产能5万片/月。该项目计划2024年开始建设，2025年四季 ...