The EVALMASTERGAN2 board is an easy to use and quick to adapt tool to evaluate the characteristics of MASTERGAN2 and to quickly create new topologies without the need of complete PCB design. The ...
新微半导体基于自有硅基氮化镓外延片，提供的覆盖高、中和低压（40V-650V）晶圆代工产品，采用非金 GaN HEMT 工艺，具有高击穿电压以及高工作频率等卓越优势，具有栅极最小线宽0.5μm、P 型栅技术、W 栓工艺、CMP 工艺、低欧姆接触电阻和动态电阻等工艺特征。
Demo developed with IFP Energies Nouvelles delivers high 30 kW/l power density and ease of paralleling Cambridge GaN Devices (CGD) and IFP Energies Nouvelles (IFPEN), a French public research and ...
Abstract: Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) technology has become the dominant solution for RF communication infrastructure applications for 5G networks and beyond. This ...
虽然SiC MOSFET和GaN HEMT之间存在相当大的应用重叠，但两者都将在汽车功率半导体市场占有一席之地。 Infineon的GS66516B是650V增强型氮化镓晶体管（650V GaN E-HEMT），采用的GaNPX封装可实现小型封装中的低电感和低热阻，R DS(on) 仅为25mΩ，可为要求苛刻的高功率应用提供 ...
The US Department of Commerce has finalised agreements with Rocket Lab and BAE Systems Electronic Systems for funding under ...
来自MSN18 天
涨停揭秘 | 芯导科技首板涨停，封板资金1186.85万元涨停原因：芯导科技涨跌停原因： 1. 公司第三代半导体 650V GaN HEMT 产品初步系列化，在电源、PD 快充适配器等领域重点推广。 2. 主营业务为功率半导体的研发与销售，产品包括功率器件和功率 IC 两大类，应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域 ...
Persistent Link: https://ieeexplore.ieee.org/servlet/opac?punumber=16 ...
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