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国际电子商情
26 天
SiC器件“上车”新进展:国产力量崛起推动汽车电子革新
XzSesmc 现如今,新能源汽车主驱采用的主流器件,仍以750V、1200V SiC MOSFET为主。在当前的400V电压平台上,车厂开始采用750V的SiC器件来替代传统的Si器件,以提升系统的性能和效率。这种转变是新能源汽车主驱动系统大规模应用的关键,因为它满足了对于更高性能 ...
电子工程专辑
28 天
SiC风口成势,清纯半导体深耕SiC MOSFET应用
“这意味着整个新能源汽车采用SiC的市场是完全被打开了。” 詹旭标介绍,目前750V及1200V SiC MOSFET是主驱应用的主流器件,特别是一些400V的平台逐渐被750V SiC MOSFET所替代。不过,他也表示,器件性能、质量、价格、产能仍然是整个主驱大规模应用的必要条件和 ...
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