三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND开始，逐渐积累了丰富的经验，目前最新量产的是第9代V-NAND，层数达到了290层。

近日，来自韩国媒体的消息揭示了三星电子平泽第四园区（P4）的新动向：全新第一条生产线将实现NAND和DRAM的同步量产。这一创新举措标志着半导体制造业的一次重要变革，对于整个市场和消费者而言，都将产生深远的影响。三星电子计划到年底前每月新增5000片的NAND生产规模，再加上DRAM的持续扩张，展现出其在全球存储器市场中的强大竞争力。 平泽P4的这一生产线不仅在名称上有所更改，反映出其双核生产的能 ...

11月6日消息，据路透社报道，存储芯片大厂铠侠表示，在人工智能需求的推动下，预计到2028 年，对 NAND Flash的需求将增加 2.7 倍。铠侠将在未来几年扩大其制造能力并引入新的工艺技术，以满足即将到来的需求。

消息称三星电子将出售西安工厂旧设备及产线 在全球半导体市场竞争加剧的背景下，韩国科技巨头三星电子计划出售其位于中国西安的NAND闪存工厂的旧设备及产线，以削减成本并提升盈利能力。

在科技产品的快速更新迭代中，NAND Flash存储芯片一直扮演着至关重要的角色。然而，根据TrendForce集邦咨询的最新调查，2024年四季度NAND Flash产品合约价格的下调趋势引发了广泛关注。预期合约价格将环比下调3%至8%，这对于整个半导体行业及其下游产品将会产生怎样的影响？本文将深入分析这一市场现象，探讨其背后的原因及未来趋势。 一、市场背景：NAND Flash的重要性与现状 ...

在今年年初，三星发布了中阶产品990 EVO。在半年后，他们就带来了这款硬盘的升级版990 EVO PLUS。说起来，上一次三星用PLUS这个后缀还得追溯到2019年的970 EVO PLUS。而和970 EVO与970 EVO ...

在全球半导体行业中，三星电子（Samsung Electronics）一直处于技术革新的前沿。最近，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，预计到2026年，公司的NAND闪存技术将达到400层，并在2030年突破1000层。这一技术进步不仅标志着存储解决方案的未来发展方向，也为存储密度、性能和能效设定了新的标准，显示出三星在闪存市场的强大存在感和竞争力。

铠侠日本当地时间11月7日宣布，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳。这是由日本新能源•产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。

镁光科技公司宣布，其第9代 TLC NAND 闪存芯片已进入量产阶段，成为行业内首家实现这一里程碑的公司。 镁光科技公司今天宣布，已在 SSD 中出货第 ...

这一变动意味着，该生产线将从原先专注的NAND闪存生产，转向同时支持NAND与DRAM的混合生产模式。 三星平泽园区 此次调整在生产线的命名上也有所体现。原名为P4F的生产线，其中的"F"代表Flash闪存，而如今更名为P4H，其中的"H"则是Hybrid的简称，标志着该生产 ...