美光科技宣布其第九代（G9）TLC NANDSSD开始量产，这是该行业的一个重要里程碑。 G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度，为数据读取和写入提供了出色的带宽。这种先进的 ...

TechInsights称，虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

全球最大的内存厂商三星宣布，已开始量1Tb QLC的第九代V-NAND内存，这是全球第一家使用这项新技术开始量产内存芯片的公司。

三星此前已经宣布开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

【ITBEAR】9月9日消息，随着服务器终端库存调整的结束以及AI技术推动大容量存储产品需求的增加，今年第二季度NAND Flash（闪存）市场呈现价格持续上涨的态势。根据TrendForce集邦咨询最新发布的报告，尽管PC和智能手机厂商库存依然偏高 ...

第二季铠侠维持NAND Flash品牌厂营收第三名，虽然PC和智能手机客户仍在调整库存，但因服务器需求略改善，使铠侠位元出货量季增12%，平均销售单价也上涨20%，第二季营收达23.26亿美元，较前季成长27.7%，市场份额为13.8%，环比增长了1 ...

“在距上次TLC版本量产仅四个月后，QLC第九代V-NAND产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。”三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi ...

但因为PC、智能手机厂商库存仍然偏高，NAND闪存的出货量增长放缓，二季度环比减少了1％，总营收达167.96亿美元，环比增长14.2％。 第二季度起，所有的NAND闪存供应商都已经恢复盈利，并计划在第三季度扩大产能，满足AI、服务器的需求，但是PC ...

三星电子的QLC 9th-Gen V-NAND采用了多项创新技术，包括行业领先的通道孔蚀刻技术，该技术通过双堆栈结构实现了业界最高的层数。此外，通过优化存储单元面积和外围电路，与上一代QLC ...

根据TrendForce最新调查，由于server终端库存调整接近尾声，加上AI刺激大容量存储产品需求，2024年第二季NAND Flash价格持续上涨，但因为PC和智慧型手机买方库存偏高，导致第二季NAND Flash位元出货量季减1%，平均销 ...