根据韩国媒体ZDNET Korea的报导称，韩国三星电子内部已经于第三季度决定调整平泽园区P4产线第一期（Phase 1）的产能分配，即从单纯的生产NAND Flash，调整为生产NAND Flash + DRAM，以应对市场需求变化。

【热点速读】1、存储国产品牌全线表现亮眼，固态硬盘和内存拿下双冠军2、群联潘健成：NAND原厂或将在12月减产3、美国要求台积电及三星对中国大陆客户停供7纳米AI芯片4、三星电子扩建HBM等半导体封装工艺5、韩国11月前10天半导体出口额达32.8亿 ...

三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND开始，逐渐积累了丰富的经验，目前最新量产的是第9代V-NAND，层数达到了290层。

在固态硬盘领域，致态品牌蝉联冠军，紧随其后的是三星、宏碁掠夺者、梵想和金士顿等知名品牌。而在内存条市场，光威以绝对优势成为TOP1品牌，金百达、金士顿、宏碁掠夺者和阿斯加特分别位居后面。值得注意的是，随着消费者对高性能、稳定性存储产品的认可，国产品牌在这一领域的表现尤为亮眼。

在科技产品的快速更新迭代中，NAND Flash存储芯片一直扮演着至关重要的角色。然而，根据TrendForce集邦咨询的最新调查，2024年四季度NAND Flash产品合约价格的下调趋势引发了广泛关注。预期合约价格将环比下调3%至8%，这对于整个半导体行业及其下游产品将会产生怎样的影响？本文将深入分析这一市场现象，探讨其背后的原因及未来趋势。 一、市场背景：NAND Flash的重要性与现状 ...

在今年年初，三星发布了中阶产品990 EVO。在半年后，他们就带来了这款硬盘的升级版990 EVO PLUS。说起来，上一次三星用PLUS这个后缀还得追溯到2019年的970 EVO PLUS。而和970 EVO与970 EVO ...

在全球半导体行业中，三星电子（Samsung Electronics）一直处于技术革新的前沿。最近，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，预计到2026年，公司的NAND闪存技术将达到400层，并在2030年突破1000层。这一技术进步不仅标志着存储解决方案的未来发展方向，也为存储密度、性能和能效设定了新的标准，显示出三星在闪存市场的强大存在感和竞争力。

在刚刚结束的双十一购物节中，长江存储旗下的致态品牌表现亮眼，在京东实现了SSD品类交易总额(GMV)和销量的双料第一。 其中致态京东交易总额同比增长43%，总销量同比增长16%，这也是国内存储品牌首次超越三星取得这一名次。

铠侠日本当地时间11月7日宣布，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳。这是由日本新能源•产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。

这一变动意味着，该生产线将从原先专注的NAND闪存生产，转向同时支持NAND与DRAM的混合生产模式。 三星平泽园区 此次调整在生产线的命名上也有所体现。原名为P4F的生产线，其中的"F"代表Flash闪存，而如今更名为P4H，其中的"H"则是Hybrid的简称，标志着该生产 ...