O presidente da Agência de Notícias Xinhua, Fu Hua, reuniu-se com Marco Vinicio Balarezo Lizarzaburu, embaixador peruano na ...

在全球半导体技术竞争愈发激烈的背景下，荷兰ASML公司近日透露，其正在研发下一代超级NA(HyperNA)光刻机，计划在2036年实现0.2nm工艺节点的制造。这一消息不仅吸引了业界的广泛关注，也为未来芯片制造技术的进步埋下了重磅伏笔。

光刻技术是半导体制造的基石，其性能直接关系到芯片的极限制程。在过去的几十年里，随着摩尔定律的不断推进，光刻机的技术也在不断演进。ASML的第一代LowNAEUV光刻机拥有0.33的孔径数值（NA），能够满足13.5nm的临界尺寸和26nm的最小金属间 ...

A Exposição de Veículos Elétricos, realizada na capital da Namíbia, Windhoek, na segunda-feira, destacou as mudanças ...

台湾半导体制造公司（TSMC）将于本月晚些时候从荷兰公司 ASML 接收其首台High NA（高数值孔径）EUV 芯片制造设备。High NA机器一直是台积电争议的根源，因为在今年早些时候台积电管理层抱怨设备价格昂贵后，台积电后来还是决定从 ASML ...

据TrendForce报道，台积电本月将接收首台High-NA ...

今年8月，英特尔又宣布，全球第二台ASML研发的High NA（高数值孔径）EUV光刻机即将进入其位于美国奥勒冈州的晶圆厂。这款设备的价值高达3.5亿欧元（约27.47亿人民币），将有助于生产更先进的、性能更强的芯片，甚至有可能达到1nm级、埃米级芯片的水平。

9 月 10 日消息，继英特尔抢先于 2024 年 4 月宣布完成业界首台高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机组装后，台积电竹科园区将于 9 月底前引进其首台高数值孔径极紫外光刻机，较外界所猜测的年底时间点提前一整个季度。

【台积电或以折扣价于9月底前引进High-NA EUV设备】《科创板日报》10日讯，台积电将于9月底前引进其首台高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻机，据悉，此次购入价格远低于原定3.5亿欧元（约27.47亿人民币）的单台报价。

继英特尔抢先于2024年4月宣布完成业界首台高数值孔径极紫外（High ...

Theo tin Đài chúng tôi: Chiều ngày 9/9, tại Bắc Kinh, Chủ tịch Trung Quốc Tập Cận Bình đã tiếp Thủ tướng Na ...

【经济学家：美联储料将继续快速降息】Nationwide首席经济学家表示，还有更多工作要做，而且要快：“我们预计美联储需要继续快速降低利率，以支撑软着陆——这是我们的基本预测。” ...