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23 天
GaN与SiC:两种流行宽禁带功率半导体对比
碳化硅(SiC)衬底已在电动汽车和一些工业应用中确立了自己的地位。然而,近来氮化镓(GaN)已成为许多重叠应用的有力选择。了解这两种衬底在大功率电路中的主要区别及其各自的制造考虑因素,或许能为这两种流行的复合半导体的未来带来启示。 宽禁带(WBG ...
Analog
7 个月
氮化镓(GaN)技术
GaN已成为革命性的新兴半导体材料,与电力电子和射频(RF)应用中的现有技术相比,都具有多种显著优势。我们正在利用GaN开发并实现可提供更高功率密度、出色效率和超快开关速度的解决方案。GaN不仅具有多功能性,而且能够在高频下工作和处理高功率密度 ...
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