进行TEM观察时，就需要汎铨独特的低温ALD形成保护膜来保护，在分析的时候能够不变形，能够维持原来的样貌。另外，为了降低后段金属绕线的RC delay，最先进的半导体制程，採用越来越低K值的Low K材料来做绝缘层，也因为这样Low K材料内充满空隙，在离子束与电子束进行样品切割及观察时，会造成材料的高度减少，这样的人为误差，会造成制程研发人员的误判。

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