京东方、燕东微拟合计以70亿元增资北京一家12英寸晶圆项目公司，这将令供应紧张的高端晶圆市场出现新变数。 据京东方A、燕东微近日公告，京东方下属全资子公司天津京东方创新投资有限公司和燕东微全资子公司北京燕东微电子科技有限公司，与北京亦庄 ...

目前，Villach厂200mm ...

科锐与意法半导体宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议至5亿多美元。意法半导体是全球领先的半导体供应商，横跨多重电子应用领域。这一延伸协议是原先协议价值的双倍，科锐将在未来数年向意法半导体提供先进的150mm SiC裸晶圆和外延片。

向SiC注入离子时的加速电压一般使用数百kV左右，对应的离子注入区域的深度为数百nm，比较浅。在SiC中，即使经过高温工序，注入后的掺杂元素浓度在深度方向的分布也几乎保持不变。考虑到这些因素，通过设计离子注入工艺以获得所需特性的器件结构。另外，在进行 ...

11月8日，北京电控发布公告，宣布将在亦庄建设一座12寸晶圆厂，项目总投资330亿元，规划产能为每月5万片。预计2025年第四季度完成厂房建设并启动设备搬入，2026年底实现量产。2024年至2026年的规划投资分别为60亿元、96亿元和88亿元。

IT之家 11 月 22 日消息，据国内碳化硅单晶衬底材料企业天岳先进官方微信公众号动态，该企业在本月中旬于德国慕尼黑举行的 Semicon Europe 2024 展览会上发布了业界首款 300mm N 型（IT之家注：即导电型）碳化硅衬底。

“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。英飞凌将把这项技术用于碳化硅（SiC）晶圆的切割上，从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番。进一步加码碳化硅市场。 在早些时候，意法半导体CEO在接受半导体行业观察等媒体采访也 ...

“北电集成12英寸集成电路生产线项目”投资总额为330亿元，规划产品主要为显示驱动芯片、数模混合芯片、嵌入式MCU芯片以及基于PD/FD-SOI工艺技术的高速混合电路芯片及特种应用芯片，规划产能5万片/月。该项目计划2024年开始建设，2025年四季 ...

美国能源部（DOE）近日批准了向SK集团旗下的半导体晶圆制造商SK Siltron提供的5.44亿美元贷款（包括4.815亿美元的本金和6250万美元的利息），以支持其在先进技术汽车制造（ATVM）项目中扩大用于电动汽车（EV）的高质量碳化硅（SiC）晶圆生产。opqesmc SK Siltron CSS ...

SK Siltron CSS计划利用美国能源部及密歇根州政府的资金支持，到2027年完成贝城工厂的扩建工程，依托奥本研发中心的技术成果，大力生产高性能SiC晶圆。SiC晶圆与传统硅晶圆相比具有显著优势，工作电压可提高10倍，工作温度可提高3倍，是电动汽车、充电设备和 ...

欧洲芯片大厂意法半导体于当地时间周三在法国巴黎举办投资者日活动，宣布了将与中国第二大晶圆代工厂合作，在中国生产 40nm 节点的微控制器（MCU），以支持其中长期的营收目标的实现。