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据最新报道，三星公司成功研发出创新性的400层堆叠NANDFlash闪存技术，并已开始将其投入大规模生产。这一突破有望超越SK海力士此前宣布量产的321层NANDFlash技术。预计三星将在2025年国际固态电路会议上详细介绍其1T ...