【群联CEO：NAND原厂很可能将在12月减产】《科创板日报》11日讯，群联CEO潘健成表示，2024年第四季企业级储存、工业及车用需求稳健，及部分存货提列回冲，带动10月毛利率可望改善。 他进一步指出，NAND原厂很可能将在12月减产。

【网界】据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子在三季度已做出重大决策，对其平泽P4制造综合体一期进行产能调整。这一变动意味着，该生产线将从原先专注的NAND闪存生产，转向同时支持NAND与DRAM的混合生产模式。

近日，来自韩国媒体的消息揭示了三星电子平泽第四园区（P4）的新动向：全新第一条生产线将实现NAND和DRAM的同步量产。这一创新举措标志着半导体制造业的一次重要变革，对于整个市场和消费者而言，都将产生深远的影响。三星电子计划到年底前每月新增5000片的NAND生产规模，再加上DRAM的持续扩张，展现出其在全球存储器市场中的强大竞争力。 平泽P4的这一生产线不仅在名称上有所更改，反映出其双核生产的能 ...

铠侠于2024财年第二季度（截至2024年9月30日）的业绩表现强劲。该季度实现营收4809亿日元，较上一个财季增长12.22%，几乎是前 ...

过去一年多里，人工智能（AI）热潮席卷科技界，受益的不仅是英伟达这样的GPU厂商，或者负责HBM芯片供应的SK海力士，还有铠侠这类以NAND闪存生产为主的存储器厂商。虽然近期NAND闪存市场的市况并不太好，但是来自服务器的订单支撑起了大部分增长需求。

11月6日消息，据路透社报道，存储芯片大厂铠侠表示，在人工智能需求的推动下，预计到2028 年，对 NAND Flash的需求将增加 2.7 倍。铠侠将在未来几年扩大其制造能力并引入新的工艺技术，以满足即将到来的需求。

【NAND Flash再增新产能 ...

IT之家 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT ...

【三星、铠侠酝酿 NAND 减产】10 月 29 日讯，近期供应链有消息传出，三星、铠侠正研拟在第四季对 NAND 进行减产，预计会依照市场状况分阶段实施。

铠侠日本当地时间11月7日宣布，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳。这是由日本新能源•产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。